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中國(guó)科學(xué)院研究生院《半導(dǎo)體物理》2011年考研大綱

來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 時(shí)間:2010-08-28 09:32:34

中科院研究生院碩士研究生入學(xué)考試《半導(dǎo)體物理》考試大綱 

  本《半導(dǎo)體物理》考試大綱適用于中國(guó)科學(xué)院研究生院微電子學(xué)與固體電子學(xué)專(zhuān)業(yè)的碩士研究生入學(xué)考試。半導(dǎo)體物理學(xué)是現(xiàn)代微電子學(xué)與固體電子學(xué)的重要基礎(chǔ)理論課程,它的主要內(nèi)容包括半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)和電子狀態(tài);雜質(zhì)和缺陷能級(jí);載流子的統(tǒng)計(jì)分布;載流子的散射及電導(dǎo)問(wèn)題;非平衡載流子的產(chǎn)生、復(fù)合及其運(yùn)動(dòng)規(guī)律;半導(dǎo)體的表面和界面─包括p-n結(jié)、金屬半導(dǎo)體接觸、半導(dǎo)體表面及MIS結(jié)構(gòu)、異質(zhì)結(jié);半導(dǎo)體的光、熱、磁、壓阻等物理現(xiàn)象和非晶半導(dǎo)體部分。要求考生對(duì)其基本概念有較深入的了解,能夠系統(tǒng)地掌握書(shū)中基本定律的推導(dǎo)、證明和應(yīng)用,并具有綜合運(yùn)用所學(xué)知識(shí)分析問(wèn)題和解決問(wèn)題的能力。 
  一、考試內(nèi)容
 。ㄒ唬┌雽(dǎo)體的電子狀態(tài):
  半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)和結(jié)合性質(zhì),半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和能帶,半導(dǎo)體中的電子運(yùn)動(dòng)和有效質(zhì)量,本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)構(gòu),空穴,回旋共振,硅和鍺的能帶結(jié)構(gòu),III-V族化合物半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu),II-VI族化合物半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)
 。ǘ┌雽(dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷能級(jí):
  硅、鍺晶體中的雜質(zhì)能級(jí),III-V族化合物中雜質(zhì)能級(jí),缺陷、位錯(cuò)能級(jí)
 。ㄈ┌雽(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計(jì)分布
  狀態(tài)密度,費(fèi)米能級(jí)和載流子的統(tǒng)計(jì)分布,本征半導(dǎo)體的載流子濃度,雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度,一般情況下的載流子統(tǒng)計(jì)分布,簡(jiǎn)并半導(dǎo)體
 。ㄋ模┌雽(dǎo)體的導(dǎo)電性
  載流子的漂移運(yùn)動(dòng),遷移率,載流子的散射,遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系,電阻率及其與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系,玻爾茲曼方程,電導(dǎo)率的統(tǒng)計(jì)理論,強(qiáng)電場(chǎng)下的效應(yīng),熱載流子,多能谷散射,耿氏效應(yīng) 
 。ㄎ澹┓瞧胶廨d流子
  非平衡載流子的注入與復(fù)合,非平衡載流子的壽命,準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí),復(fù)合理論,陷阱效應(yīng),載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng),載流子的漂移運(yùn)動(dòng),愛(ài)因斯坦關(guān)系式,連續(xù)性方程式
 。﹑-n結(jié)
  p-n結(jié)及其能帶圖,p-n結(jié)電流電壓特性,p-n結(jié)電容,p-n結(jié)擊穿,p-n結(jié)隧道效應(yīng) 
 。ㄆ撸┙饘俸桶雽(dǎo)體的接觸
  金屬半導(dǎo)體接觸及其能級(jí)圖,金屬半導(dǎo)體接觸整流理論,少數(shù)載流子的注入和歐姆接觸
 。ò耍┌雽(dǎo)體表面與MIS結(jié)構(gòu)
  表面態(tài),表面電場(chǎng)效應(yīng),MIS結(jié)構(gòu)的電容-電壓特性,硅─二氧化硅系數(shù)的性質(zhì),表面電導(dǎo)及遷移率,表面電場(chǎng)對(duì)p-n結(jié)特性的影響 
 。ň牛┊愘|(zhì)結(jié)
  異質(zhì)結(jié)及其能帶圖,異質(zhì)結(jié)的電流輸運(yùn)機(jī)構(gòu),異質(zhì)結(jié)在器件中的應(yīng)用,半導(dǎo)體超晶格 
 。ㄊ┌雽(dǎo)體的光、熱、磁、壓阻等物理現(xiàn)象
  半導(dǎo)體的光學(xué)常數(shù),半導(dǎo)體的光吸收,半導(dǎo)體的光電導(dǎo),半導(dǎo)體的光生伏特效應(yīng),半導(dǎo)體發(fā)光,半導(dǎo)體激光,熱電效應(yīng)的一般描述,半導(dǎo)體的溫差電動(dòng)勢(shì)率,半導(dǎo)體的玻爾帖效應(yīng),半導(dǎo)體的湯姆孫效應(yīng),半導(dǎo)體的熱導(dǎo)率,半導(dǎo)體熱電效應(yīng)的應(yīng)用,霍耳效應(yīng),磁阻效應(yīng),磁光效應(yīng),量子化霍耳效應(yīng),熱磁效應(yīng),光磁電效應(yīng),壓阻效應(yīng),聲波和載流子的相互作用

  二、考試要求
 。ㄒ唬┌雽(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)和電子狀態(tài)
  1.了解半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)和結(jié)合性質(zhì)的基本概念。
  2.理解半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和能帶的基本概念。
  3.掌握半導(dǎo)體中的電子運(yùn)動(dòng)規(guī)律,理解有效質(zhì)量的意義。
  4.理解本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)構(gòu),理解空穴的概念。
  5.熟練掌握空間等能面和回旋共振的相關(guān)公式推導(dǎo)、并能靈活運(yùn)用。
  6.理解硅和鍺的能帶結(jié)構(gòu),掌握有效質(zhì)量的計(jì)算方法。
  7.了解III-V族化合物半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)。
  8.了解II-VI族化合物半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)。
 。ǘ┌雽(dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷能級(jí)
  1.理解替位式雜質(zhì)、間隙式雜質(zhì)、施主雜質(zhì)、施主能級(jí)、受主雜質(zhì)、受主能級(jí)的概念。
  2.簡(jiǎn)單計(jì)算淺能級(jí)雜質(zhì)電離能。
  3.了解雜質(zhì)的補(bǔ)償作用、深能級(jí)雜質(zhì)的概念。
  4.了解III-V族化合物中雜質(zhì)能級(jí)的概念。
  5.理解點(diǎn)缺陷、位錯(cuò)的概念。
 。ㄈ┌雽(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計(jì)分布
  1.深入理解并熟練掌握狀態(tài)密度的概念和表示方法。
  2.深入理解并熟練掌握費(fèi)米能級(jí)和載流子的統(tǒng)計(jì)分布。
  3.深入理解并熟練掌握本征半導(dǎo)體的載流子濃度的概念和表示方法。
  4.深入理解并熟練掌握雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度的概念和表示方法。
  5.理解并掌握一般情況下的載流子統(tǒng)計(jì)分布。
  6.深入理解并熟練掌握簡(jiǎn)并半導(dǎo)體的概念,簡(jiǎn)并半導(dǎo)體的載流子濃度的表示方法,簡(jiǎn)并化條件。了解低溫載流子凍析效應(yīng)、禁帶變窄效應(yīng)。
  (四)半導(dǎo)體的導(dǎo)電性
  1.深入理解遷移率的概念。并熟練掌握載流子的漂移運(yùn)動(dòng),包括公式。
  2.深入理解載流子的散射的概念。
  3.深入理解并熟練掌握遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系,包括公式。
  4.深入理解并熟練掌握電阻率及其與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系,包括公式。
  5.深入理解電導(dǎo)率的統(tǒng)計(jì)理論。并熟練掌握玻爾茲曼方程。
  6.了解強(qiáng)電場(chǎng)下的效應(yīng)和熱載流子的概念。
  7.了解多能谷散射概念和耿氏效應(yīng)。
  (五)非平衡載流子
  1.深入理解非平衡載流子的注入與復(fù)合的概念,包括表達(dá)式。
  2.深入理解非平衡載流子的壽命的概念,包括表達(dá)式、能帶示意圖。
  3.深入理解準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)的概念,包括表達(dá)式、能帶示意圖。
  4.了解復(fù)合理論,理解直接復(fù)合、間接復(fù)合、表面復(fù)合、俄歇復(fù)合的概念,包括表達(dá)式、能帶示意圖。
  5.了解陷阱效應(yīng),包括表達(dá)式、能帶示意圖。 
  6.深入理解并熟練掌握載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng),包括公式。
  7.深入理解并熟練掌握載流子的漂移運(yùn)動(dòng),愛(ài)因斯坦關(guān)系式。并能靈活運(yùn)用。
  8.深入理解并熟練掌握連續(xù)性方程式。并能靈活運(yùn)用。
 。﹑-n結(jié)
  1.深入理解并熟練掌握p-n結(jié)及其能帶圖,包括公式、能帶示意圖。
  2.深入理解并熟練掌握p-n結(jié)電流電壓特性,包括公式、能帶示意圖。
  3.深入理解p-n結(jié)電容的概念,熟練掌握p-n結(jié)電容表達(dá)式、能帶示意圖。
  4.深入理解雪崩擊穿、隧道擊穿熱擊穿的概念。 
  5.了解p-n結(jié)隧道效應(yīng)。

。ㄆ撸┙饘俸桶雽(dǎo)體的接觸
  1.了解金屬半導(dǎo)體接觸及其能帶圖。理解功函數(shù)、接觸電勢(shì)差的概念,包括公式、能帶示意圖。了解表面態(tài)對(duì)接觸勢(shì)壘的影響。
  2.了解金屬半導(dǎo)體接觸整流理論。深入理解并熟練掌握擴(kuò)散理論、熱電子發(fā)射理論、鏡像力和隧道效應(yīng)的影響、肖特基勢(shì)壘二極管的概念。 
  3.了解少數(shù)載流子的注入和歐姆接觸的概念。
 。ò耍┌雽(dǎo)體表面與MIS結(jié)構(gòu)
  1.深入理解表面態(tài)的概念。
  2.深入理解表面電場(chǎng)效應(yīng),空間電荷層及表面勢(shì)的概念,包括能帶示意圖。深入理解并熟練掌握表面空間電荷層的電場(chǎng)、電勢(shì)和電容的關(guān)系,包括公式、示意圖。并能靈活運(yùn)用。
  3.深入理解并熟練掌握MIS結(jié)構(gòu)的電容-電壓特性,包括公式、示意圖。并能靈活運(yùn)用。
  4.深入理解并熟練掌握硅─二氧化硅系數(shù)的性質(zhì),包括公式、示意圖。并能靈活運(yùn)用。
  5.理解表面電導(dǎo)及遷移率的概念。
  6.了解表面電場(chǎng)對(duì)p-n結(jié)特性的影響。
 。ň牛┊愘|(zhì)結(jié)
  1.理解異質(zhì)結(jié)及其能帶圖,并能畫(huà)出示意圖。
  2.了解異質(zhì)結(jié)的電流輸運(yùn)機(jī)構(gòu)。
  3.了解異質(zhì)結(jié)在器件中的應(yīng)用。
  4.了解半導(dǎo)體超晶格的概念。
 。ㄊ┌雽(dǎo)體的光、熱、磁、壓阻等物理現(xiàn)象
  1.了解半導(dǎo)體的光學(xué)常數(shù),理解折射率、吸收系數(shù)、反射系數(shù)、透射系數(shù)的概念。了解半導(dǎo)體的光吸收現(xiàn)象,理解本征吸收、直接躍遷、間接躍遷的概念。了解半導(dǎo)體的光電導(dǎo)的概念。理解并掌握半導(dǎo)體的光生伏特效應(yīng),光電池的電流電壓特性的表達(dá)式。了解半導(dǎo)體發(fā)光現(xiàn)象,理解輻射躍遷、發(fā)光效率、電致發(fā)光的概念。了解半導(dǎo)體激光的基本原理和物理過(guò)程,理解自發(fā)輻射、受激輻射、分布反轉(zhuǎn)的概念。
  2.了解熱電效應(yīng)的一般描述,半導(dǎo)體的溫差電動(dòng)勢(shì)率,半導(dǎo)體的珀耳帖效應(yīng),半導(dǎo)體的湯姆孫效應(yīng),半導(dǎo)體的熱導(dǎo)率,半導(dǎo)體熱電效應(yīng)的應(yīng)用。
  3.理解并掌握霍耳效應(yīng)的概念和表示方法。理解磁阻效應(yīng)。了解磁光效應(yīng),量子化霍耳效應(yīng),熱磁效應(yīng),光磁電效應(yīng),壓阻效應(yīng)。了解聲波和載流子的相互作用。
  三、主要參考書(shū)目
  劉恩科,朱秉升,羅晉生.《半導(dǎo)體物理學(xué)》.西安交通大學(xué)出版社,1998。

結(jié)束

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